Infineon IRF621-005PBF

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

5.2 A

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Manufacturer Part Number

IRF621-005PBF

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Part Life Cycle Code

Obsolete

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.65

Rohs Code

有

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

DS 击穿电压-最小值

150 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR