Infineon IRF650B

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

TO-220, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF650B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.34

Part Package Code

SFM

Drain Current-Max (ID)

28 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220

漏极-源极导通最大电阻

0.085 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

112 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR