Infineon IRF6602TR1

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

MSL

1

Dimensions

2x1,25x0,45mm

Package

reel

Terminal

SMD

RoHS

有

Package Description

ISOMETRIC-3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF6602TR1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.83

Drain Current-Max (ID)

11 A

系列

CC

容差

±5 %

ECCN 代码

EAR99

温度系数

NP0

电容量

220.0 pF

子类别

FET 通用电源

螺距

0 mm

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11 A

漏极-源极导通最大电阻

0.013 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

89 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

97 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

42 W