Infineon IRF6620

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

ISOMETRIC-3

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF6620

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.17

Drain Current-Max (ID)

27 A

JESD-609代码

e4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Silver/Nickel (Ag/Ni)

附加功能

低导通损耗

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0027 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

39 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR