Infineon IRF6620PBF

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF6620PBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.17

Drain Current-Max (ID)

27 A

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

150 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0027 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

39 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

89 W