Infineon IRF6626PBF

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

16 A

Risk Rank

5.37

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IRF6626PBF

Rohs Code

有

Reflow Temperature-Max (s)

30

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Style

CHIP CARRIER

Package Description

ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0054 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

24 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR