IRF6648详情
Infineon IRF6648重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
ISOMETRIC-3
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF6648
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.17
Drain Current-Max (ID)
86 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
低导通损耗
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XBCC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.007 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
260 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
47 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRF6648拓展信息








哦! 它是空的。