Infineon IRF7752GPBF

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

4.6 A

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Manufacturer Part Number

IRF7752GPBF

Moisture Sensitivity Levels

2

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

HALOGEN AND LEAD FREE, TSSOP-8

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

活跃

Reflow Temperature-Max (s)

30

Risk Rank

5.39

Rohs Code

有

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MO-153AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.6 A

漏极-源极导通最大电阻

0.03 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W