Infineon IRF822FI

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

1.9 A

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Manufacturer

STMicroelectronics

Manufacturer Part Number

IRF822FI

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

TO-220, 3 PIN

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Part Life Cycle Code

Obsolete

Part Package Code

SFM

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.63

Rohs Code

有

Turn-off Time-Max (toff)

245 ns

Turn-on Time-Max (ton)

137 ns

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH VOLTAGE, FAST SWITCHING

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.9 A

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

225 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

35 W

反馈上限-最大值 (Crss)

50 pF

环境耗散-最大值

35 W