Infineon IRFB16N60L

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Insulation Voltage

350 V

RoHS

有

Dimensions

D5,5x16mm

Package Description

TO-220AB, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFB16N60L

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Intertechnologies

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

16 A

系列

n/a

容差

±5 %

JESD-609代码

e0

电阻

15 Ohm

端子表面处理

锡铅

组成

Metaloxide film

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

终端样式

Axial

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

n/a

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

大小

0616

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16 A

漏极-源极导通最大电阻

0.46 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

310 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

310 W

额定功率

3 W

达到SVHC

unknown