IRFH8325PBF详情
Infineon IRFH8325PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Elements
1
Drain Current-Max (ID)
21 A
Risk Rank
5.21
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-8
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer Part Number
IRFH8325PBF
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.005 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
94 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFH8325PBF拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








哦! 它是空的。