Infineon IRFS1Z0

表面安装

YES

材料

Aluminum

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Inner Diameter

3,84mm

RoHS

有

Drain Current-Max (ID)

0.82 A

Risk Rank

3.5

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Part Life Cycle Code

Transferred

Number of Elements

1

Manufacturer

International Rectifier

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IRFS1Z0

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

小概要

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

注意

圆形垫片

镀层

-

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-243AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.82 A

漏极-源极导通最大电阻

2.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

3.5 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.6 W

外直径

4,90mm

环境耗散-最大值

3.6 W

达到SVHC

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