IRG4BC20MD详情
Infineon IRG4BC20MD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Rohs Code
无
Risk Rank
5.6
Reflow Temperature-Max (s)
30
Part Package Code
TO-220AB
Part Life Cycle Code
Obsolete
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
Manufacturer Part Number
IRG4BC20MD
Manufacturer
International Rectifier
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Turn-off Time-Nom (toff)
1190 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
60 ns
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
短路额定值
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大耗散功率(Abs)
60 W
集电极电流-最大值(IC)
18 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
最大下降时间 (tf)
510 ns
IRG4BC20MD拓展信息








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