IRGBF30F详情
Infineon IRGBF30F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Package Code
TO-220AB
Risk Rank
5.89
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
International Rectifier
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
IRGBF30F
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Turn-off Time-Nom (toff)
510 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
39 ns
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
FAST
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
通用开关
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大耗散功率(Abs)
100 W
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
900 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.7 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.5 V
环境耗散-最大值
100 W
最大下降时间 (tf)
240 ns
IRGBF30F拓展信息








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