IRHG567110PBF详情
Infineon IRHG567110PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
14
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-CDIP-T14
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRHG567110PBF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.19
Drain Current-Max (ID)
1.6 A
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-CDIP-T14
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-036AB
漏极-源极导通最大电阻
0.29 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6.4 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
130 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
compliant
IRHG567110PBF拓展信息








哦! 它是空的。