IRHLA7930Z4详情
Infineon IRHLA7930Z4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Cast Iron
终端数量
14
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
GRL-HMQ821-5-H1-56-20
Manufacturer
Grove Gear
Package Description
HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14
Package Style
小概要
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.4
Drain Current-Max (ID)
0.56 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XDSO-F14
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
输入类型
C-Face Quilled
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.56 A
漏极-源极导通最大电阻
1.36 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.6 W
IRHLA7930Z4拓展信息








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