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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.639245
10
¥1.546457
100
¥1.458922
500
¥1.376341
1000
¥1.298435
Infineon IRLML5103PBF
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- 对比
IRLML5103PBF
1211-IRLML5103PBF
无类别的
--
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P CHANNEL MOSFET, -30V, 610mA, SOT-23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-610mA, Drain Source Voltage Vds:-30V, On Resistance Rds(on):0.6ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-1V, MSL:- RoHS Compliant: Y
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¥
总价: ¥
IRLML5103PBF详情
Infineon IRLML5103PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
MICRO-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRLML5103PBF
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
0.9
Drain Current-Max (ID)
0.76 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54 A
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.28 W
IRLML5103PBF拓展信息






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