JANTX2N7219详情
Infineon JANTX2N7219重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
底架
通孔
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
JANTX2N7219
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
Risk Rank
5.14
Drain Current-Max (ID)
18 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
METAL
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Schedule B
8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
RoHS
Compliant
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500/596
JESD-30代码
R-MSFM-P3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
125 W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
18 A
JEDEC-95代码
TO-254AA
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
18 A
漏极-源极导通最大电阻
0.25 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
450 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
辐射硬化
无
无铅
含铅
JANTX2N7219拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








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