Infineon MMBD7000LT1XT

底架

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Ir - Reverse Current

100 uA

Pd - Power Dissipation

330 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

0.000282 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

45000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

MMBD 7000 LT1 SP000014935 MMBD7000LT1HTSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

If - Forward Current

200 mA

Peak Reverse Voltage

100 V

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MMBD7000LT1XT

Power Dissipation (Max)

0.33 W

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.44

包装

Tape & Reel

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

电容量

2 pF

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

4.5 A

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Dual

二极管类型

接收电极

箱体转运

ISOLATED

正向电流

200 mA

最大浪涌电流

4.5 A

输出电流-最大值

0.2 A

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

反向恢复时间

4 ns

峰值反向电流

500 nA

最大重复反向电压(Vrrm)

100 V

Rep Pk反向电压-最大值

100 V

峰值非恢复性浪涌电流

4.5 A

恢复时间

4 ns

反向恢复时间-最大值

0.004 µs

产品

开关二极管

Vf-正向电压

1.25 V

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

辐射硬化

无

无铅

无铅