MMBD914LT1XT详情
Infineon MMBD914LT1XT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
SOT-23-3
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Ir - Reverse Current
50 uA
Pd - Power Dissipation
370 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
0.000282 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
45000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
MMBD 914 LT1 SP000010207 MMBD914LT1HTSA1
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
If - Forward Current
250 mA
Peak Reverse Voltage
100 V
RoHS
Details
Voltage Rating (DC)
100 V
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MMBD914LT1XT
Power Dissipation (Max)
0.37 W
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
6.26
包装
MouseReel
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.70
电容量
2 pF
子类别
Diodes & Rectifiers
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
额定电流
250 mA
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
R-PDSO-G3
极性
Standard
配置
Single
电压
100 V
元素配置
Single
电流
2 A
二极管类型
接收电极
功率耗散
370 mW
输出电流
250 mA
正向电流
250 mA
最大浪涌电流
4.5 A
输出电流-最大值
0.25 A
产品类别
Diodes - General Purpose, Power, Switching
反向恢复时间
4 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
100 V
峰值非恢复性浪涌电流
4.5 A
恢复时间
4 ns
反向恢复时间-最大值
0.004 µs
产品
开关二极管
Vf-正向电压
1.25 V
产品类别
Diodes - General Purpose, Power, Switching
宽度
1.2954 mm
高度
990.6 µm
长度
2.8956 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
MMBD914LT1XT拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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