MURB2020CTTR详情
Infineon MURB2020CTTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MURB2020CTTR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.24
Part Package Code
TO-263
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
应用
超快恢复
附加功能
LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
输出电流-最大值
10 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
200 V
最大非代表Pk前进电流
100 A
反向恢复时间-最大值
0.035 µs
达到SVHC
compliant
MURB2020CTTR拓展信息








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