S26HS01GTFPBHB030详情
Infineon S26HS01GTFPBHB030重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
R-6, Axial
供应商器件包装
R-6
Package
Bulk
Base Product Number
3KP110
厂商
Micro Commercial Co
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
260
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Tray
类型
Zener
应用
通用型
子类别
Memory & Data Storage
技术
FLASH - NOR (SLC)
电压 - 供电
1.7V ~ 2V
内存大小
1Gbit
时钟频率
166 MHz
电源线保护
无
电压 - 击穿
122V
功率 - 脉冲峰值
3000W (3kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
16.9A
访问时间
5.45 ns
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
177V
内存格式
FLASH
内存接口
HyperBus
电压 - 反向断态(典型值)
110V
单向通道
1
写入周期时间 - 字符、页面
1.7ms
产品类别
NOR 闪存
电容@频率
-
产品类别
NOR 闪存
组织的记忆
128M x 8
S26HS01GTFPBHB030拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








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