S99GL512P11FFI010详情
Infineon S99GL512P11FFI010重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
1210 (3225 Metric)
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
1210
Package
Bulk
厂商
Stackpole Electronics Inc
Product Status
活跃
Base Product Number
S99GL512
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RMEF
尺寸/尺寸
0.120 L x 0.098 W (3.05mm x 2.50mm)
容差
±1%
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
电阻
11.5 kOhms
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.5W, 1/2W
技术
FLASH - NOR
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
失败率
-
内存大小
512Mbit
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
-
特征
Automotive AEC-Q200
组织的记忆
32M x 16
座位高度(最大)
0.028 (0.70mm)
评级结果
AEC-Q200
S99GL512P11FFI010拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon








哦! 它是空的。