Infineon Eupec BSM30GD60DN2E3224
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BSM30GD60DN2E3224
1213-BSM30GD60DN2E3224
无类别的
MELF, 0204
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES
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BSM30GD60DN2E3224详情
Infineon Eupec BSM30GD60DN2E3224重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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包装/外壳
MELF, 0204
供应商器件包装
0204
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Stackpole Electronics Inc
Product Status
活跃
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
BSM30GD60DN2E3224
Manufacturer
Eupec Gmbh & Co Kg
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
EUPEC GMBH & CO KG
Risk Rank
5.71
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
MLF
尺寸/尺寸
0.055 Dia x 0.138 L (1.40mm x 3.50mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e0
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
3.32 Ohms
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.25W, 1/4W
子类别
绝缘栅BIP晶体管
失败率
-
最大耗散功率(Abs)
125 W
集电极电流-最大值(IC)
30 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.7 V
特征
-
座位高度(最大)
-
达到SVHC
unknown
BSM30GD60DN2E3224拓展信息







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