BSM30GD60DN2E3224
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Infineon Eupec BSM30GD60DN2E3224

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型号

BSM30GD60DN2E3224

utmel 编号

1213-BSM30GD60DN2E3224

商品类别

无类别的

封装

MELF, 0204

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES

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BSM30GD60DN2E3224 Infineon Eupec Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES

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BSM30GD60DN2E3224详情

Infineon Eupec BSM30GD60DN2E3224重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    MELF, 0204

  • 供应商器件包装

    0204

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    Stackpole Electronics Inc

  • Product Status

    活跃

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BSM30GD60DN2E3224

  • Manufacturer

    Eupec Gmbh & Co Kg

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    EUPEC GMBH & CO KG

  • Risk Rank

    5.71

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    MLF

  • 尺寸/尺寸

    0.055 Dia x 0.138 L (1.40mm x 3.50mm)

  • 容差

    ±1%

  • JESD-609代码

    e0

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    3.32 Ohms

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 组成

    Thin Film

  • 功率(瓦特)

    0.25W, 1/4W

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 失败率

    -

  • 最大耗散功率(Abs)

    125 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    30 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.7 V

  • 特征

    -

  • 座位高度(最大)

    -

  • 达到SVHC

    unknown

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BSM30GD60DN2E3224拓展信息

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公司资质

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SMTA
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