Infineon Technologies 021N04N

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPB021N04N

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

TO-263

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6

Risk Rank

5.84

Drain Current-Max (ID)

160 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

7

JESD-30代码

R-PSSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

160 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0021 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

640 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

898 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

214 W