Infineon Technologies 027N10N

工厂交货时间

18 Weeks

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPB027N10N3GATMA1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

D2PAK

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

1.61

Samacsys Description

INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3

Drain Current-Max (ID)

120 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0027 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

1000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR