Infineon Technologies 0811ND

表面安装

YES

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSG0811ND

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-N7

Risk Rank

1.75

Samacsys Description

Dual N-CH 25V 50A 3/0,8mOhm

Drain Current-Max (ID)

19 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

2

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-N7

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.004 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

30 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR