Infineon Technologies 086N10N

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPP086N10N3GXKSA1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

TO-220AB

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

175 °C

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

80 A

Samacsys Description

INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-220

Risk Rank

0.87

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0086 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR