Infineon Technologies AUIRFR1010ZTR
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AUIRFR1010ZTR
1211-AUIRFR1010ZTR
集成电路(IC)
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MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
1最小包装量--
AUIRFR1010ZTR详情
Infineon Technologies AUIRFR1010ZTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
AUIRFR1010ZTR
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Package Code
TO-252AA
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Risk Rank
5.14
Drain Current-Max (ID)
42 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
30
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
镍外哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
91 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
360 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
110 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
140 W
AUIRFR1010ZTR拓展信息
Infineon
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