Infineon Technologies BGB741L7ESDE6327XTSA1
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BGB741L7ESDE6327XTSA1
1211-BGB741L7ESDE6327XTSA1
射频放大器
6-XFDFN Exposed Pad
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High-Performance Broad Band LNA MMIC 6-Pin TSLP EP T/R
--最小包装量--
BGB741L7ESDE6327XTSA1详情
Infineon Technologies BGB741L7ESDE6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFDFN Exposed Pad
引脚数
6
Usage Level
Military grade
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Gold (Au)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
120mW
电压 - 供电
1.8V~4V
结构
COMPONENT
频率
50MHz~3.5GHz
测试频率
1.5GHz
电流源
30mA
无卤素
无卤素
增益
19.5dB
射频/微波器件类型
宽带低功率
射频类型
Cellular, RKE, WiFi
输入功率-最大(CW)
20dBm
特性阻抗
50Ohm
最大结点温度(Tj)
150°C
噪声图
1dB
P1dB
-6.5dBm
高度
500μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BGB741L7ESDE6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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