Infineon Technologies BSB012NE2LXI
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BSB012NE2LXI
1211-BSB012NE2LXI
无类别的
MG-WDSON-2
大陆
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N-Channel 25V 170A(Tc) 2V @ 250uA 1.2mΩ @ 30A,10V 2.8W MG-WDSON-2 MOSFET RoHS
1最小包装量--
BSB012NE2LXI详情
Infineon Technologies BSB012NE2LXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
MG-WDSON-2
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2mΩ @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250uA
漏源电压 (Vdss)
25V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
170A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
2.8W
RoHS状态
符合RoHS标准
BSB012NE2LXI拓展信息







哦! 它是空的。