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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥25.74932
10
¥24.291812
100
¥22.916801
500
¥21.619628
1000
¥20.39587
Infineon Technologies BSB056N10NN3 G
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- 对比
BSB056N10NN3 G
1211-BSB056N10NN3 G
无类别的
MG-WDSON-2
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BSB056N10NN3 G详情
Infineon Technologies BSB056N10NN3 G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
MG-WDSON-2
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.6mΩ @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 100uA
漏源电压 (Vdss)
100V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
9A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
2.8W
RoHS状态
符合RoHS标准
BSB056N10NN3 G拓展信息






哦! 它是空的。