Infineon Technologies BSC010NE2LS
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BSC010NE2LS
1211-BSC010NE2LS
无类别的
PG-TDSON-8
大陆
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MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
--最小包装量--
BSC010NE2LS详情
Infineon Technologies BSC010NE2LS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
2 P Channel(Double)
Rds On(Max)@Id,Vgs
111mΩ @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250uA
漏源电压 (Vdss)
-30V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
2.9A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
1.4W
RoHS状态
符合RoHS标准
BSC010NE2LS拓展信息







哦! 它是空的。