Infineon Technologies BSC016N06NST
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BSC016N06NST
1211-BSC016N06NST
无类别的
PG-TDSON-8
大陆
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N-Channel 60V 100A(Tc) 3.3V @ 95uA 1.6mΩ @ 50A,10V 167W(Tc) PG-TDSON-8 MOSFET RoHS
1最小包装量--
BSC016N06NST详情
Infineon Technologies BSC016N06NST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6mΩ @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.3V @ 95uA
漏源电压 (Vdss)
60V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
100A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
167W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
BSC016N06NST拓展信息







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