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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.087661
10
¥9.516661
100
¥8.977982
500
¥8.469795
1000
¥7.990373
Infineon Technologies BSC030P03NS3G
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- 对比
BSC030P03NS3G
1211-BSC030P03NS3G
无类别的
PG-TDSON-8
大陆
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MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
--最小包装量--
¥
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BSC030P03NS3G详情
Infineon Technologies BSC030P03NS3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
P Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3mΩ @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.1V @ 345uA
漏源电压 (Vdss)
30V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
25.4A
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
2.5W
RoHS状态
符合RoHS标准
BSC030P03NS3G拓展信息






哦! 它是空的。