注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.207755
10
¥4.912976
100
¥4.634884
500
¥4.372532
1000
¥4.12503
Infineon Technologies BSC109N10NS3G
- 收藏
- 对比
BSC109N10NS3G
1211-BSC109N10NS3G
无类别的
PG-TDSON-8
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSC109N10NS3G详情
Infineon Technologies BSC109N10NS3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.9mΩ @ 46A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 45uA
漏源电压 (Vdss)
100V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
63A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
78W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
BSC109N10NS3G拓展信息






哦! 它是空的。