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Infineon Technologies BSC320N20NS3G
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BSC320N20NS3G
1211-BSC320N20NS3G
无类别的
PG-TDSON-8
大陆
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MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
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BSC320N20NS3G详情
Infineon Technologies BSC320N20NS3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
PG-TDSON-8
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
32mΩ @ 36A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 90uA
漏源电压 (Vdss)
200V
25°C时的连续漏极电流（Id）。
36A Tc
功率耗散-最大值（Ta=25°C）
125W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
BSC320N20NS3G拓展信息
公司资质
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