Infineon Technologies BSF110N06NT3G

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSF110N06NT3G

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

CHIP CARRIER, R-MBCC-N3

Risk Rank

5.83

Drain Current-Max (ID)

11 A

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

CHIP CARRIER

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-MBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.011 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR