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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.151219
10
¥2.029453
100
¥1.914578
500
¥1.806205
1000
¥1.703968
Infineon Technologies BSZ120P03NS3EG
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- 对比
BSZ120P03NS3EG
1211-BSZ120P03NS3EG
集成电路(IC)
--
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-30V,-40A,P-channel power MOSFET
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¥
总价: ¥
BSZ120P03NS3EG详情
Infineon Technologies BSZ120P03NS3EG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BSZ120P03NS3EG
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
Risk Rank
5.33
Drain Current-Max (ID)
11 A
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
防静电
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-N5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40 A
漏极-源极导通最大电阻
0.02 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
160 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
73 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
52 W
BSZ120P03NS3EG拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon






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