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Infineon Technologies BSZ215C H

Name: BSZ215C H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-BSZ215C H
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BSZ215C H

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-BSZ215C H

商品类别

无类别的

封装

PG-TSDSON-8

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel&P-Channel 20V 5.1A,3.2A 1.4V @ 110uA,0.7V @ 110uA 55mΩ @ 5.1A,4.5V;150mΩ @ 3.2A,4.5V 2.5W PG-TSDSON-8 MOSFET RoHS

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BSZ215C H Infineon Technologies N-Channel&P-Channel 20V 5.1A,3.2A 1.4V @ 110uA,0.7V @ 110uA 55mΩ @ 5.1A,4.5V;150mΩ @ 3.2A,4.5V 2.5W PG-TSDSON-8 MOSFET RoHS

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BSZ215C H详情

技术参数

Infineon Technologies BSZ215C H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

PG-TSDSON-8
包装

Tape & Reel (TR)
场效应管类型

N & P Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

55mΩ @ 5.1A,4.5V;150mΩ @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 110uA,0.7V @ 110uA
漏源电压 (Vdss)

20V
25°C时的连续漏极电流（Id）。

5.1A3.2A
功率耗散-最大值（Ta=25°C）

2.5W
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

BSZ215C H拓展信息

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