Infineon Technologies BUZ111SL
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BUZ111SL
1211-BUZ111SL
集成电路(IC)
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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
1最小包装量--
BUZ111SL详情
Infineon Technologies BUZ111SL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BUZ111SL
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.34
Drain Current-Max (ID)
80 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.01 Ω
DS 击穿电压-最小值
55 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUZ111SL拓展信息
Infineon
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