Infineon Technologies CY14B104NA-BA20XIT
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CY14B104NA-BA20XIT
1211-CY14B104NA-BA20XIT
存储器
FBGA-48
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NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
1最小包装量--
CY14B104NA-BA20XIT详情
Infineon Technologies CY14B104NA-BA20XIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-48
安装类型
表面贴装
引脚数
48
供应商器件包装
48-FBGA (6x10)
RoHS
Details
Supply Voltage-Min
2.7 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Moisture Sensitive
有
Mounting Styles
SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Mounting
表面贴装
Bus Type
Parallel
Supplier Package
FBGA
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
CY14B104
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Supply Voltage-Max
3.6 V
Usage Level
Industrial grade
系列
CY14B104NA
包装
Reel
操作温度
-40 to 85 °C
类型
NVSRAM
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
2.5, 3.3, 5 V
内存大小
4Mbit
访问时间
20 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16 Bit
组织结构
256Kx16
写入周期时间 - 字符、页面
20ns
密度
4 Mb
筛选水平
Industrial
组织的记忆
256K x 16
CY14B104NA-BA20XIT拓展信息
Infineon
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