Infineon Technologies CY14B104NA-ZS25XI
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CY14B104NA-ZS25XI
1211-CY14B104NA-ZS25XI
存储器
TSOP-44
大陆
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NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
1最小包装量--
CY14B104NA-ZS25XI详情
Infineon Technologies CY14B104NA-ZS25XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TSOP-44
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
44-TSOP II
RoHS
Details
Unit Weight
0.077603 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
675
Pd - Power Dissipation
1 W
Mounting Styles
SMD/SMT
Moisture Sensitive
有
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
2.7 V
Package
Tray
Base Product Number
CY14B104
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Supply Voltage-Max
3.6 V
包装
Tray
系列
CY14B104NA
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
内存大小
4 Mbit
工作电源电流
70 mA
访问时间
45 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16 bit
组织结构
256 k x 16
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
组织的记忆
256K x 16
宽度
10.262 mm
长度
18.517 mm
高度
1.194 mm
CY14B104NA-ZS25XI拓展信息
Infineon
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