Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
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CY14B116S-BZ35XI
1211-CY14B116S-BZ35XI
存储器
FBGA-165
大陆
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NVRAM Non Volatile SRAMs
1最小包装量--
CY14B116S-BZ35XI详情
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-165
表面安装
YES
终端数量
165
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
210
Mounting Styles
SMD/SMT
Moisture Sensitive
有
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
2.7 V
Interface Type
Parallel
RoHS
Details
Supply Voltage-Max
3.6 V
Package Description
LBGA,
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CY14B116S-BZ35XI
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.71
包装
Tray
系列
CY14B116
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B165
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
16 Mbit
工作电源电流
75 mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
35 ns
数据总线宽度
32 bit
组织结构
512 k x 32
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
32
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
NON-VOLATILE SRAM
电压 - 供电 (最大值)
3.6 V
电压 - 供电 (最小值)
2.7 V
宽度
15 mm
长度
17 mm
CY14B116S-BZ35XI拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
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Infineon
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