Infineon Technologies CY62157ELL-45ZSXI

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TSOP-44

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

44

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

44

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

-

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

4.5 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

SDR

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

675

Tradename

MoBL

Unit Weight

0.015988 oz

Supplier Package

TSOP-II

Typical Operating Supply Voltage

5.0000 V

Minimum Operating Supply Voltage

4.5 V

Timing Type

Asynchronous

Number of Words

512 kWords

Number of I/O Lines

16 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

5.5 V

Mounting

表面贴装

Package

Tray

Base Product Number

CY62157

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

5.5 V

Package Description

TSOP2, BGA48,6X8,30

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY62157ELL-45ZSXI

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.32

Part Package Code

TSOP2

Usage Level

Industrial grade

包装

Tray

系列

CY62157ELL

操作温度

-40 to 85 °C

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Asynchronous

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

8 Mbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

25 mA

访问时间

45 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512 k x 16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.194 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

地址总线宽度

19 Bit

密度

8 Mbit

待机电流-最大值

0.000008 A

记忆密度

8388608 bit

筛选水平

Industrial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

组织的记忆

512K x 16

宽度

10.16 mm

长度

18.415 mm