Infineon Technologies CY7C1041GN30-10ZSXI

包装/外壳

TSOP-44

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

44

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

-

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

2.2 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1350

Unit Weight

0.015988 oz

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1041

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

3.6 V

Package Description

TSOP2,

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1041GN30-10ZSXI

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

1.55

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Asynchronous

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

2.2V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G44

温度等级

INDUSTRIAL

内存大小

4 Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

45 mA

访问时间

10 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256 k x 16

座位高度-最大

1.194 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

2.2 V

组织的记忆

256K x 16

宽度

10.16 mm

长度

18.415 mm