Infineon Technologies CY7C1061G18-15BV1XIT
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CY7C1061G18-15BV1XIT
1211-CY7C1061G18-15BV1XIT
存储器
48-VFBGA
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IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
--最小包装量--
CY7C1061G18-15BV1XIT详情
Infineon Technologies CY7C1061G18-15BV1XIT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
48-VFBGA
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
48-VFBGA (6x8)
终端数量
48
厂商
Infineon Technologies
Memory Types
Volatile
Product Status
活跃
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
CY7C1061
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
-
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
2.2 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Supply Voltage-Min
1.65 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
Package Description
VFBGA,
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
15 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CY7C1061G18-15BV1XIT
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.8
系列
-
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
包装
Reel
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.A
类型
Asynchronous
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
电压 - 供电
1.65V ~ 2.2V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B48
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
16Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
80 mA
访问时间
15 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1 M x 16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
产品类别
SRAM
记忆密度
16
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
电压 - 供电 (最大值)
2.2 V
电压 - 供电 (最小值)
1.65 V
产品类别
SRAM
组织的记忆
1M x 16
宽度
6 mm
长度
8 mm
CY7C1061G18-15BV1XIT拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
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Infineon
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