Infineon Technologies CY7C1062GN30-10BGXI
- 收藏
- 对比
CY7C1062GN30-10BGXI
1211-CY7C1062GN30-10BGXI
存储器
PBGA-119
大陆
立即发货

SRAM ASYNC SRAMS
1最小包装量--
CY7C1062GN30-10BGXI详情
Infineon Technologies CY7C1062GN30-10BGXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
PBGA-119
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
119-PBGA (14x22)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
168
Moisture Sensitive
有
Memory Types
Volatile
Mounting Styles
SMD/SMT
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
2.2 V
Interface Type
Parallel
Maximum Clock Frequency
-
RoHS
Details
Package
Tray
Base Product Number
CY7C1062
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
3.6 V
系列
CY7C1062G/GE
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
类型
Asynchronous
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V
内存大小
16 Mbit
电源电流-最大值
110 mA
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512 k x 32
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
组织的记忆
512K x 32
CY7C1062GN30-10BGXI拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon







哦! 它是空的。