Infineon Technologies CY7C1069G-10BVXI

包装/外壳

VFBGA-48

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

48-VFBGA (6x8)

终端数量

48

RoHS

Details

Maximum Clock Frequency

-

Interface Type

Parallel

Supply Voltage-Min

4.5 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

4800

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1069

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Supply Voltage-Max

5.5 V

Package Description

VFBGA,

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

2000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C1069G-10BVXI

Number of Words

2097152 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.75

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

ECCN 代码

3A991.B.2.A

类型

Asynchronous

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B48

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

16 Mbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

110 mA

访问时间

10 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2 M x 8

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

记忆密度

16

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

2M x 8

宽度

6 mm

长度

8 mm