Infineon Technologies CY7C1262XV18-366BZXC
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CY7C1262XV18-366BZXC
1211-CY7C1262XV18-366BZXC
存储器
FBGA-165
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SRAM 36MB (2Mx18) 1.8v 366MHz QDR II SRAM
1最小包装量--
CY7C1262XV18-366BZXC详情
Infineon Technologies CY7C1262XV18-366BZXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-165
安装类型
表面贴装
引脚数
165
供应商器件包装
165-FBGA (13x15)
Supply Voltage-Min
1.7 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
680
Interface Type
Parallel
Maximum Clock Frequency
366 MHz
RoHS
Details
Maximum Clock Rate
366 MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
QDR
Typical Operating Supply Voltage
1.8000 V
Minimum Operating Supply Voltage
1.7 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
2 MWords
Number of I/O Lines
18 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
1.9 V
Mounting
表面贴装
Package
Tray
Base Product Number
CY7C1262
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
1.9 V
Usage Level
Commercial grade
包装
Tray
系列
CY7C1262XV18
操作温度
0 to 70 °C
类型
Synchronous
技术
SRAM - Synchronous, QDR II+
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
内存大小
36 Mbit
端口的数量
2
时钟频率
366 MHz
电源电流-最大值
970 mA
访问时间
150 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Pipelined
组织结构
2 M x 18
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
20 Bit
密度
36 Mb
筛选水平
Commercial
组织的记忆
2M x 18
CY7C1262XV18-366BZXC拓展信息
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